氧化铌电容，也称为**铌电解电容器**，是一种利用五氧化二铌（NbO）作为电介质材料的电容器。以下是对这种电容器的一些详细介绍：

1. **制备历史**：氧化铌电容器的研究始于20世纪60、70年代，当时美国和苏联等国家开始了相关的研究工作。然而，由于在工艺过程中热和电学应力的影响，五氧化二铌介质膜容易遭到破坏，导致电容器漏电流大、产品失效率高。尽管我国在特定时期也开展了这方面的研究，并成立了专门的实验室，但生产的铌电容器存在质量问题，如漏电流大、储存性能差，因此逐渐淡出了市场。

2. **性能特点**：氧化铌作为一种电介质材料，具有高导电性的硬陶瓷特性，通常与金属联合使用。铌氧化物粉粒与钽粉在颗粒形态上相似，且铌金属的生产方式也与钽类似。

3. **选择考虑**：在选择电容器时，除了考虑电容值和尺寸外，还需要考虑直流工作电压。对于所有钽电容来说，推荐的工作电压降额幅度为50%，这对于氧化铌电容器也同样重要。

4. **市场情况**：尽管氧化铌电容器在某些方面可能具有优势，但由于市场对钽电容的品牌敏感度较高，没有满意的市场积累和份额，因此氧化铌电容器在市场上的推广和应用面临着一定的困难。

综上所述，氧化铌电容器虽然在技术上具有一定的潜力，但由于其制备过程中的挑战和市场竞争等因素，目前并未成为主流的电容器选择。对于电子工程师而言，在选择电容器时，需要根据具体的应用需求和工作环境来综合考虑各种因素，以确保最终选择的电容器能够满足性能要求并保证长期稳定运行。

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